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电子元器件详细资料 » IC[28212] » SP8M10TB
型号:SP8M10TB类别:FET - 阵列制造商:Rohm Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC
系列-
制造商Rohm Semiconductor
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C7A,4.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C25 毫欧 @ 7A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs8.4nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds600pF @ 10V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
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