型号:SP8M10TB | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Rohm Semiconductor |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Rohm Semiconductor |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 7A,4.5A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 25 毫欧 @ 7A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 8.4nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 600pF @ 10V |
功率_最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
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